FQU5N50CTU-WS | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQU5N50CTU-WS

FQU5N50CTU-WS

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Numero parte	FQU5N50CTU-WS
LIXINC Part #	FQU5N50CTU-WS
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FQU5N50CTU-WS Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FQU5N50CTU-WS Specifiche

Numero parte:	FQU5N50CTU-WS
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	QFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	625 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 48W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	I-PAK
pacchetto/caso:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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