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RM5N650IP

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Numero parte	RM5N650IP
LIXINC Part #	RM5N650IP
Produttore	Rectron USA
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO251
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RM5N650IP Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RM5N650IP Specifiche

Numero parte:	RM5N650IP
Marca:	Rectron USA
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rectron USA
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	460 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	49W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-251
pacchetto/caso:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

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