DMT8012LFG-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

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Numero parte	DMT8012LFG-7
LIXINC Part #	DMT8012LFG-7
Produttore	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	DMT8012LFG-7 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

DMT8012LFG-7 Specifiche

Numero parte:	DMT8012LFG-7
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9.5A (Ta), 35A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1949 pF @ 40 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.2W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerDI3333-8
pacchetto/caso:	8-PowerVDFN

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