FCPF650N80Z

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Numero parte FCPF650N80Z
LIXINC Part # FCPF650N80Z
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FCPF650N80Z Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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FCPF650N80Z Specifiche

Numero parte:FCPF650N80Z
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:SuperFET® II
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:650mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 800µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.565 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):30.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220F
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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