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Numero parte | PMXB56ENZ |
LIXINC Part # | PMXB56ENZ |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | 30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PMXB56ENZ Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | PMXB56ENZ |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 3.2A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 55mOhm @ 3.2A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 6.3 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 209 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DFN1010D-3 |
pacchetto/caso: | 3-XDFN Exposed Pad |
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In magazzino | 10860 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.06000 | $0.06 |
5000 | $0.01666 | $83.3 |
10000 | $0.01536 | $153.6 |
25000 | $0.01450 | $362.5 |
50000 | $0.01320 | $660 |
125000 | $0.01296 | $1620 |
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