FDS2170N3

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Numero parte FDS2170N3
LIXINC Part # FDS2170N3
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDS2170N3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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FDS2170N3 Specifiche

Numero parte:FDS2170N3
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:128mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.292 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOIC
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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