NDD60N900U1T4G | Rochester Electronics NDD60N900U1T4G | NDD60N900U1T4G Inventory, Best Pricing

NDD60N900U1T4G

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Numero parte	NDD60N900U1T4G
LIXINC Part #	NDD60N900U1T4G
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NDD60N900U1T4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NDD60N900U1T4G Specifiche

Numero parte:	NDD60N900U1T4G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	5.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	360 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	74W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DPAK
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ES6U1T2R	MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT	11291 Maggiori informazioni su Ordine
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BSL207SPH6327XTSA1	MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6	2899 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFW740BTM	N-CHANNEL POWER MOSFET	71337 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF9Z34STRRPBF	MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK	1043 Maggiori informazioni su Ordine
STF11N60DM2	MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP	2912 Maggiori informazioni su Ordine
STB120N4LF6	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	876 Maggiori informazioni su Ordine