ES6U1T2R

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Numero parte ES6U1T2R
LIXINC Part # ES6U1T2R
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD ES6U1T2R Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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ES6U1T2R Specifiche

Numero parte:ES6U1T2R
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Last Time Buy
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):12 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:2.4 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 6 V
caratteristica del feto:Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-WEMT
pacchetto/caso:SOT-563, SOT-666

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