SQS482ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQS482ENW-T1_GE3 | SQS482ENW-T1

SQS482ENW-T1_GE3

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Numero parte	SQS482ENW-T1_GE3
LIXINC Part #	SQS482ENW-T1_GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SQS482ENW-T1_GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SQS482ENW-T1_GE3 Specifiche

Numero parte:	SQS482ENW-T1_GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	16A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1865 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	62W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerPAK® 1212-8W
pacchetto/caso:	PowerPAK® 1212-8W

BSO301SP	P-CHANNEL POWER MOSFET	898 Maggiori informazioni su Ordine
BSL207SPH6327XTSA1	MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6	3036 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFW740BTM	N-CHANNEL POWER MOSFET	71388 Maggiori informazioni su Ordine
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STB120N4LF6	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	854 Maggiori informazioni su Ordine
IRFP460APBF	MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3	1390 Maggiori informazioni su Ordine
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