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Numero parte | SIR818DP-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIR818DP-T1-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SIR818DP-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 11 - Oct 15 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SIR818DP-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 50A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 95 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 3660 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PowerPAK® SO-8 |
pacchetto/caso: | PowerPAK® SO-8 |
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DMN2250UFB-7B | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN | 831 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 12164 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.40000 | $1.4 |
3000 | $0.65479 | $1964.37 |
6000 | $0.62405 | $3744.3 |
15000 | $0.60208 | $9031.2 |
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