BUK9E6R1-100E,127 | Rochester Electronics BUK9E6R1-100E,127 | BUK9E6R1-100E,127 Inventory, Best Pricing

BUK9E6R1-100E,127

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Numero parte	BUK9E6R1-100E,127
LIXINC Part #	BUK9E6R1-100E,127
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BUK9E6R1-100E,127 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 11 - Oct 15 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BUK9E6R1-100E,127 Specifiche

Numero parte:	BUK9E6R1-100E,127
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	TrenchMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	133 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	17.46 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	349W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	I2PAK
pacchetto/caso:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

AO4421	MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC	967 Maggiori informazioni su Ordine
FQD2N90TF	MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK	1918 Maggiori informazioni su Ordine
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DMT3020LFDF-13	MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN	901 Maggiori informazioni su Ordine
IRFHM830TRPBF	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN	945 Maggiori informazioni su Ordine
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STL35N15F3	MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT	954 Maggiori informazioni su Ordine
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