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IRFHM830TRPBF

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Numero parte	IRFHM830TRPBF
LIXINC Part #	IRFHM830TRPBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFHM830TRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 11 - Oct 15 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFHM830TRPBF Specifiche

Numero parte:	IRFHM830TRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	21A (Ta), 40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.35V @ 50µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2155 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.7W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PQFN (3x3)
pacchetto/caso:	8-VQFN Exposed Pad

ECH8420-TL-H	MOSFET N-CH 20V 14A 8ECH	23515920 Maggiori informazioni su Ordine
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SPD07N60C2	N-CHANNEL POWER MOSFET	7029 Maggiori informazioni su Ordine
STB6NK90ZT4	MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK	848 Maggiori informazioni su Ordine
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HUF76633P3-F085	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P	2062 Maggiori informazioni su Ordine
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STP3NK80Z	MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB	1002 Maggiori informazioni su Ordine
FQI7P06TU	MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK	3029 Maggiori informazioni su Ordine
IRL2910PBF	MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB	811 Maggiori informazioni su Ordine