RV2C002UNT2L

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Numero parte RV2C002UNT2L
LIXINC Part # RV2C002UNT2L
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RV2C002UNT2L Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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RV2C002UNT2L Specifiche

Numero parte:RV2C002UNT2L
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.2V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:2Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:12 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):100mW (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DFN1006-3 (VML1006)
pacchetto/caso:SC-101, SOT-883

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