SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3
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Numero parte SUD50N04-8M8P-4GE3
LIXINC Part # SUD50N04-8M8P-4GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SUD50N04-8M8P-4GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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SUD50N04-8M8P-4GE3 Specifiche

Numero parte:SUD50N04-8M8P-4GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14A (Ta), 50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 20 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252, (D-Pak)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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