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Numero parte | BSZ165N04NSGATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ165N04NSGATMA1 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSZ165N04NSGATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BSZ165N04NSGATMA1 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | OptiMOS™ |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 40 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8.9A (Ta), 31A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 16.5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 10µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 10 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 840 pF @ 20 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TSDSON-8 |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
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In magazzino | 10943 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.17000 | $0.17 |
5000 | $0.17000 | $850 |
10000 | $0.16370 | $1637 |
25000 | $0.16027 | $4006.75 |
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