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Numero parte | TSM650P02CX RFG |
LIXINC Part # | TSM650P02CX RFG |
Produttore | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TSM650P02CX RFG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TSM650P02CX RFG |
Marca: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4.1A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.8V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 65mOhm @ 3A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 800mV @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 5.1 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 515 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.56W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-23 |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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In magazzino | 12500 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.51000 | $0.51 |
3000 | $0.10042 | $301.26 |
6000 | $0.09484 | $569.04 |
15000 | $0.08647 | $1297.05 |
30000 | $0.08089 | $2426.7 |
75000 | $0.07810 | $5857.5 |
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