HUF75645S3ST | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HUF75645S3ST

HUF75645S3ST

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Numero parte	HUF75645S3ST
LIXINC Part #	HUF75645S3ST
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	HUF75645S3ST Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Aug 15 - Aug 19 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

HUF75645S3ST Specifiche

Numero parte:	HUF75645S3ST
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	UltraFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	75A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	14mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	238 nC @ 20 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3790 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	310W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTY1R4N100P	MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252	948 Maggiori informazioni su Ordine
DMN24H11DSQ-7	MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R	997 Maggiori informazioni su Ordine
FDA69N25	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	1285 Maggiori informazioni su Ordine
IRF7465TRPBF	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO	5639 Maggiori informazioni su Ordine
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