AIMW120R045M1XKSA1

AIMW120R045M1XKSA1
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Numero parte AIMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part # AIMW120R045M1XKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione TRANS SJT N-CH 1200V 52A TO247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD AIMW120R045M1XKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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AIMW120R045M1XKSA1 Specifiche

Numero parte:AIMW120R045M1XKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:52A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id:5.7V @ 10mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 15 V
vgs (massimo):+20V, -7V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2130 pF @ 800 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):228W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO247-3
pacchetto/caso:TO-247-3

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