TK8R2A06PL,S4X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK8R2A06PL,S4X

TK8R2A06PL,S4X

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Numero parte	TK8R2A06PL,S4X
LIXINC Part #	TK8R2A06PL,S4X
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	TK8R2A06PL,S4X Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

TK8R2A06PL,S4X Specifiche

Numero parte:	TK8R2A06PL,S4X
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIX-H
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	11.4mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 300µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	28.4 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1990 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	36W (Tc)
temperatura di esercizio:	175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220SIS
pacchetto/caso:	TO-220-3 Full Pack

AOD2606	MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO252	836 Maggiori informazioni su Ordine
STL15N60M2-EP	MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV	938 Maggiori informazioni su Ordine
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FCP400N80Z	MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3	998 Maggiori informazioni su Ordine
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