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Numero parte | TK8R2A06PL,S4X |
LIXINC Part # | TK8R2A06PL,S4X |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TK8R2A06PL,S4X Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TK8R2A06PL,S4X |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSIX-H |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 50A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 11.4mOhm @ 8A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 300µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 28.4 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1990 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 36W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220SIS |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack |
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In magazzino | 10902 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.64000 | $1.64 |
50 | $1.30828 | $65.414 |
100 | $1.14480 | $114.48 |
500 | $0.88777 | $443.885 |
1000 | $0.70087 | $700.87 |
2500 | $0.65414 | $1635.35 |
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