IPB050N06NGATMA1 | Rochester Electronics IPB050N06NGATMA1 | IPB050N06NGATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB050N06NGATMA1

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Numero parte	IPB050N06NGATMA1
LIXINC Part #	IPB050N06NGATMA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB050N06NGATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB050N06NGATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPB050N06NGATMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 270µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	167 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	6.1 pF @ 30 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	300W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BST82,235	MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB	855 Maggiori informazioni su Ordine
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PMV16XN215	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	240912 Maggiori informazioni su Ordine
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PSMN3R3-60PLQ	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB	3106 Maggiori informazioni su Ordine
CSD17484F4	MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR	49988 Maggiori informazioni su Ordine
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AOD21357	MOSFET P-CH 30V 70A TO252	995 Maggiori informazioni su Ordine