SIHG21N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix SIHG21N80AE-GE3 | SIHG21N80AE-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHG21N80AE-GE3

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Numero parte	SIHG21N80AE-GE3
LIXINC Part #	SIHG21N80AE-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SIHG21N80AE-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SIHG21N80AE-GE3 Specifiche

Numero parte:	SIHG21N80AE-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	E
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	17.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	235mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	72 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1388 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	32W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-247AC
pacchetto/caso:	TO-247-3

TK8R2A06PL,S4X	MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS	859 Maggiori informazioni su Ordine
AOD2606	MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO252	986 Maggiori informazioni su Ordine
STL15N60M2-EP	MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV	966 Maggiori informazioni su Ordine
FQB3P20TM	MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK	4869 Maggiori informazioni su Ordine
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FDB075N15A	MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK	59188863 Maggiori informazioni su Ordine
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IPB050N06NGATMA1	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	19506 Maggiori informazioni su Ordine