IPG20N06S3L-23

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Numero parte IPG20N06S3L-23
LIXINC Part # IPG20N06S3L-23
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPG20N06S3L-23 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPG20N06S3L-23 Specifiche

Numero parte:IPG20N06S3L-23
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):55V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A
rds su (max) @ id, vgs:23mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 20µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:42nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2950pF @ 25V
potenza - max:45W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-PowerVDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TDSON-8-4

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