SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 | SIZ900DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ900DT-T1-GE3

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Numero parte	SIZ900DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ900DT-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SIZ900DT-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SIZ900DT-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SIZ900DT-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	2 N-Channel (Half Bridge)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	24A, 28A
rds su (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	45nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1830pF @ 15V
potenza - max:	48W, 100W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	6-PowerPair™
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-PowerPair™

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