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NVMFD5853NWFT1G

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Numero parte	NVMFD5853NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFD5853NWFT1G
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	N-CHANNEL, MOSFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NVMFD5853NWFT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NVMFD5853NWFT1G Specifiche

Numero parte:	NVMFD5853NWFT1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	40V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	12A
rds su (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	24nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1225pF @ 25V
potenza - max:	3.1W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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DMN2014LHAB-7	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN	957 Maggiori informazioni su Ordine
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