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Numero parte | SI5504BDC-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI5504BDC-T1-E3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SI5504BDC-T1-E3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SI5504BDC-T1-E3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N and P-Channel |
caratteristica del feto: | Logic Level Gate |
tensione drain-source (vdss): | 30V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4A, 3.7A |
rds su (max) @ id, vgs: | 65mOhm @ 3.1A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 7nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 220pF @ 15V |
potenza - max: | 3.12W, 3.1W |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-SMD, Flat Lead |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 1206-8 ChipFET™ |
TT8M3TR | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 | 3092 Maggiori informazioni su Ordine |
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PMPB215ENEA/F,115 | 80V, SINGLE N CHANNEL TRENCH MOS | 2533 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRFH4257DTRPBF | IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET | 3389 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 36315 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.05000 | $1.05 |
3000 | $0.46429 | $1392.87 |
6000 | $0.44107 | $2646.42 |
15000 | $0.42449 | $6367.35 |
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