DMN2014LHAB-7

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Numero parte DMN2014LHAB-7
LIXINC Part # DMN2014LHAB-7
Produttore Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DMN2014LHAB-7 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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DMN2014LHAB-7 Specifiche

Numero parte:DMN2014LHAB-7
Marca:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:2 N-Channel (Dual) Common Drain
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A
rds su (max) @ id, vgs:13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:16nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1550pF @ 10V
potenza - max:800mW
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-UFDFN Exposed Pad
pacchetto del dispositivo del fornitore:U-DFN2030-6 (Type B)

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