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Numero parte | DMN2014LHAB-7 |
LIXINC Part # | DMN2014LHAB-7 |
Produttore | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | DMN2014LHAB-7 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | DMN2014LHAB-7 |
Marca: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
caratteristica del feto: | Logic Level Gate |
tensione drain-source (vdss): | 20V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 9A |
rds su (max) @ id, vgs: | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.1V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 16nC @ 4.5V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1550pF @ 10V |
potenza - max: | 800mW |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 6-UFDFN Exposed Pad |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | U-DFN2030-6 (Type B) |
PMPB215ENEA/F,115 | 80V, SINGLE N CHANNEL TRENCH MOS | 2620 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRF432 | HEXFET POWER MOSFETS | 2093 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10936 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.54000 | $0.54 |
3000 | $0.22196 | $665.88 |
6000 | $0.20915 | $1254.9 |
15000 | $0.19633 | $2944.95 |
30000 | $0.18736 | $5620.8 |
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