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Numero parte | SI4565ADY-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI4565ADY-T1-E3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SI4565ADY-T1-E3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SI4565ADY-T1-E3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N and P-Channel |
caratteristica del feto: | Standard |
tensione drain-source (vdss): | 40V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 6.6A, 5.6A |
rds su (max) @ id, vgs: | 39mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 22nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 625pF @ 20V |
potenza - max: | 3.1W |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SO |
AO5600E | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L | 861 Maggiori informazioni su Ordine |
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AON5820_101 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN | 920 Maggiori informazioni su Ordine |
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SI4286DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO | 932 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10988 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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