IRF6723M2DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF6723M2DTRPBF | IRF6723M2DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRF6723M2DTRPBF

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Numero parte	IRF6723M2DTRPBF
LIXINC Part #	IRF6723M2DTRPBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF6723M2DTRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF6723M2DTRPBF Specifiche

Numero parte:	IRF6723M2DTRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	15A
rds su (max) @ id, vgs:	6.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.35V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1380pF @ 15V
potenza - max:	2.7W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	DirectFET™ Isometric MA
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DIRECTFET™ MA

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