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PMWD19UN,518

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Numero parte	PMWD19UN,518
LIXINC Part #	PMWD19UN,518
Produttore	NXP Semiconductors
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	PMWD19UN,518 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione

PMWD19UN,518 Specifiche

Numero parte:	PMWD19UN,518
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	5.6A
rds su (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	700mV @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1478pF @ 10V
potenza - max:	2.3W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-TSSOP

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