SI3588DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI3588DV-T1-GE3 | SI3588DV-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI3588DV-T1-GE3

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Numero parte	SI3588DV-T1-GE3
LIXINC Part #	SI3588DV-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI3588DV-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI3588DV-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SI3588DV-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N and P-Channel
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.5A, 570mA
rds su (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	450mV @ 250µA (Min)
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	7.5nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
potenza - max:	830mW, 83mW
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-TSOP

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FMP26-02P	MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC	855 Maggiori informazioni su Ordine
AUIRF9952Q	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO	854 Maggiori informazioni su Ordine
IRF7750TR	MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP	840 Maggiori informazioni su Ordine
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AO4801AL_001	MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC	947 Maggiori informazioni su Ordine