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IRF5810

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Numero parte	IRF5810
LIXINC Part #	IRF5810
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF5810 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF5810 Specifiche

Numero parte:	IRF5810
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.9A
rds su (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	9.6nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	650pF @ 16V
potenza - max:	960mW
temperatura di esercizio:	-
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-TSOP

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