SI5517DU-T1-E3

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Numero parte SI5517DU-T1-E3
LIXINC Part # SI5517DU-T1-E3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI5517DU-T1-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI5517DU-T1-E3 Specifiche

Numero parte:SI5517DU-T1-E3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N and P-Channel
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6A
rds su (max) @ id, vgs:39mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:16nC @ 8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:520pF @ 10V
potenza - max:8.3W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:PowerPAK® ChipFET™ Dual
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® ChipFet Dual

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