PHKD3NQ10T,518

PHKD3NQ10T,518
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Numero parte PHKD3NQ10T,518
LIXINC Part # PHKD3NQ10T,518
Produttore Nexperia
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PHKD3NQ10T,518 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PHKD3NQ10T,518 Specifiche

Numero parte:PHKD3NQ10T,518
Marca:Nexperia
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Nexperia
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):100V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A
rds su (max) @ id, vgs:90mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:21nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:633pF @ 20V
potenza - max:2W
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO

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