TK4A60DB(STA4,Q,M)

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Numero parte TK4A60DB(STA4,Q,M)
LIXINC Part # TK4A60DB(STA4,Q,M)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK4A60DB(STA4,Q,M) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TK4A60DB(STA4,Q,M) Specifiche

Numero parte:TK4A60DB(STA4,Q,M)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:π-MOSVII
pacchetto:Tube
stato della parte:Last Time Buy
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:540 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220SIS
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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