PHB11N06LT,118

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Numero parte PHB11N06LT,118
LIXINC Part # PHB11N06LT,118
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PHB11N06LT,118 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PHB11N06LT,118 Specifiche

Numero parte:PHB11N06LT,118
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:NXP Semiconductors
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10.3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:130mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:5.2 nC @ 5 V
vgs (massimo):±15V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:330 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):33W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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