SI4435DYPBF

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Numero parte SI4435DYPBF
LIXINC Part # SI4435DYPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI4435DYPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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SI4435DYPBF Specifiche

Numero parte:SI4435DYPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:20mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2320 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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