IRF7702GTRPBF

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Numero parte IRF7702GTRPBF
LIXINC Part # IRF7702GTRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF7702GTRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRF7702GTRPBF Specifiche

Numero parte:IRF7702GTRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):12 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:14mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:81 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3470 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-TSSOP
pacchetto/caso:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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