RDN080N25FU6

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Numero parte RDN080N25FU6
LIXINC Part # RDN080N25FU6
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RDN080N25FU6 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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RDN080N25FU6 Specifiche

Numero parte:RDN080N25FU6
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:543 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220FN
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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