Solo per riferimento
Numero parte | NDT455N |
LIXINC Part # | NDT455N |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT223-4 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NDT455N Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NDT455N |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 11.5A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 15mOhm @ 11.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 61 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | 20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1220 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-223-4 |
pacchetto/caso: | TO-261-4, TO-261AA |
SI1037X-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 770MA SC89 | 826 Maggiori informazioni su Ordine |
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AOT11C60PL | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 882 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10847 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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