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IRF5800TR

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Numero parte	IRF5800TR
LIXINC Part #	IRF5800TR
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF5800TR Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF5800TR Specifiche

Numero parte:	IRF5800TR
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	535 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Micro6™(TSOP-6)
pacchetto/caso:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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IPP35CN10NGXKSA1	MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3	968 Maggiori informazioni su Ordine
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