BSC200P03LSGAUMA1

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Numero parte BSC200P03LSGAUMA1
LIXINC Part # BSC200P03LSGAUMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSC200P03LSGAUMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSC200P03LSGAUMA1 Specifiche

Numero parte:BSC200P03LSGAUMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:20mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:48.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2430 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 63W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TDSON-8-1
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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