RJK0853DPB-00#J5

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Numero parte RJK0853DPB-00#J5
LIXINC Part # RJK0853DPB-00#J5
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RJK0853DPB-00#J5 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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RJK0853DPB-00#J5 Specifiche

Numero parte:RJK0853DPB-00#J5
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:40A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6170 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):65W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:LFPAK
pacchetto/caso:SC-100, SOT-669

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