BSS214NW L6327

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Numero parte BSS214NW L6327
LIXINC Part # BSS214NW L6327
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSS214NW L6327 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSS214NW L6327 Specifiche

Numero parte:BSS214NW L6327
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:140mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 3.7µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:0.8 nC @ 5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:143 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT323-3
pacchetto/caso:SC-70, SOT-323

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