IRF6898MTR1PBF

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Numero parte IRF6898MTR1PBF
LIXINC Part # IRF6898MTR1PBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF6898MTR1PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRF6898MTR1PBF Specifiche

Numero parte:IRF6898MTR1PBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A (Ta), 213A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.1V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:62 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5435 pF @ 13 V
caratteristica del feto:Schottky Diode (Body)
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DIRECTFET™ MX
pacchetto/caso:DirectFET™ Isometric MX

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