IXTY1R4N60P

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Numero parte IXTY1R4N60P
LIXINC Part # IXTY1R4N60P
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTY1R4N60P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXTY1R4N60P Specifiche

Numero parte:IXTY1R4N60P
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:PolarHV™
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:9Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:5.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:140 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252, (D-Pak)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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