IPB160N04S2L03ATMA2

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Numero parte IPB160N04S2L03ATMA2
LIXINC Part # IPB160N04S2L03ATMA2
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPB160N04S2L03ATMA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPB160N04S2L03ATMA2 Specifiche

Numero parte:IPB160N04S2L03ATMA2
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:160A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:2.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:230 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6000 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-7-3
pacchetto/caso:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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