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Numero parte | NP110N03PUG-E1-AY |
LIXINC Part # | NP110N03PUG-E1-AY |
Produttore | Renesas Electronics America |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 110A TO263 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NP110N03PUG-E1-AY Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NP110N03PUG-E1-AY |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 110A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 1.5mOhm @ 55A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 380 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 24600 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.8W (Ta), 288W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-263 |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRFR12N25DTRPBF | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK | 875 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRFP360LC | MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 | 898 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10820 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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