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STP7NM80

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Numero parte	STP7NM80
LIXINC Part #	STP7NM80
Produttore	STMicroelectronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	STP7NM80 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione

STP7NM80 Specifiche

Numero parte:	STP7NM80
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	STMicroelectronics
serie:	MDmesh™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	6.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.05Ohm @ 3.25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	620 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	90W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

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BSC085N025S G	MOSFET N-CH 25V 14A/35A TDSON	948 Maggiori informazioni su Ordine
IRFS17N20DPBF	MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK	801 Maggiori informazioni su Ordine
PMV65XP/MIR	MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB	903 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF734PBF	MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB	860 Maggiori informazioni su Ordine
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FDB8860-F085	MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB	813 Maggiori informazioni su Ordine
TK16J60W,S1VQ	MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P	897 Maggiori informazioni su Ordine