ZXM66P03N8TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXM66P03N8TA

ZXM66P03N8TA

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Numero parte	ZXM66P03N8TA
LIXINC Part #	ZXM66P03N8TA
Produttore	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	ZXM66P03N8TA Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

ZXM66P03N8TA Specifiche

Numero parte:	ZXM66P03N8TA
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	6.25A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1979 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.56W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-SO
pacchetto/caso:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SPA12N50C3XKSA1	MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-FP	935 Maggiori informazioni su Ordine
IRF540STRL	MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK	884 Maggiori informazioni su Ordine
SI4486EY-T1-E3	MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO	970 Maggiori informazioni su Ordine
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